ایده ترانزیستورهای اثر میدانی − فلز − اکسید − سیلیکن در اوایل دهه 1930 و حتی قبل از اختراع ترانزیستور دوقطبی مطرح شد. اما به دلیل مشکل بودن فرایند ساخت، فناوری CMOS، بعدها عملی شد. اگرچه در اوایل دهه 1980، کارشناسان و مهندسان، مرگ مدارهای آنالوگ را پیش بینی کرده بودند اما با معرفی افزاره های مکمل CMOS، انقلابی در صنعت نیمه رسانا شکل گرفت، به طوری که در حال حاضر با پیدایش فناوری های زیر چند ده نانومتری، هسته اصلی طراحی مدارات داخلی، در طراحی های گیرنده − فرستنده، گیرنده های نوری، حسگرها، ریزپردازنده ها و حافظه ها را این تکنولوژی دربرگرفته است. با کوچک تر شدن ابعاد افزاره ها، ولتاژ، تغذیه و در پی آن توان مصرفی کلی نیز کاهش خواهد یافت و می توان به مدارات با عملکرد در فرکانس بالاتر دست یافت. لزوم ادامه چنین روندی در طراحی، به شهود، دقت و آگاهی عمیق از عملکرد افزاره ها وابسته است. پس با درک شهودی و فهم مدارات، از ریاضیات برای فرموله کردن عملکردها استفاده می کنیم. این آموزش تا جای ممکن و به تفصیل، مباحث مدارات مجتمع آنالوگ را در سطح پیشرفته تر و کاربردی تر ادامه داده و دانشجو را برای خلق مدارات بهتر به لحاظ مواردی که در طراحی ها مهم است، آماده می کند. در نهایت چالش های مربوط به جانمایی و ساخت افزاره ها مورد بحث و بررسی قرار می گیرد که رکن اصلی و پایه ای برای طراحی مدارات مجتمع، به شمار می رود.
